光刻技术是首次推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，国芯北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，片领宿州市某某国际贸易服务中心首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的得新微观三维结构、界面分布与缠结行为，突破指导开发出可显著减少光刻缺陷的首次产业化方案。相关论文近日刊发于《自然·通讯》。国芯

　　“显影”是片领光刻的核心步骤之一，通过显影液溶解光刻胶的得新宿州市某某国际贸易服务中心曝光区域，将电路图案精确转移到硅片上。突破光刻胶如同刻画电路的首次颜料，它在显影液中的国芯运动，直接决定电路画得准不准、片领好不好，得新进而影响芯片良率。突破长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为是“黑匣子”，工业界的工艺优化只能靠反复试错，这成为制约7纳米及以下先进制程良率提升的关键瓶颈之一。

　　为破解难题，研究团队首次将冷冻电子断层扫描技术引入半导体领域。研究人员最终合成出一张分辨率优于5纳米的微观三维“全景照片”，一举克服了传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点。

　　彭海琳表示，冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具。深入掌握液体中聚合物的结构与微观行为，可推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升。

　　来源：科技日报

　　作者: 张盖伦

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